简历
简历编号:N1246796

张先生<span class="p1">刚刚活跃</span>照片
张先生刚刚活跃
男|22岁|硕士|在校生工作经验|172cm|未婚|汉族|团员
现居:大同区    户籍:黑龙江省大庆市
求职意向
  • 工作类型:

    全职

  • 期望地区:

    哈尔滨市+牡丹江市+大庆市

  • 期望行业:

    电子/半导体/集成电路

  • 期望职业:

    集成电路IC设计+模拟电路设设计/应用工程师 +电子元器件工程师 +版图设计工程师+半导体技术

  • 期望薪资:

    年薪100000元

  • 求职岗位:

    研发人员

  • 求职状态:

    目前正在找工作

  • 到岗时间:

    面谈

教育经历
  • 2020/9-2024/6
  • 本科|西安电子科技大学|微电子科学与工程

    所学课程:半导体物理、固体物理、半导体器件物理、模拟集成电路、数字集成电路 、 模拟电路与集成设计等。

  • 2024/9-2027/6
  • 硕士|西安电子科技大学|集成电路工程

    所学课程:微电子技术、微电子制造技术、数字集成系统设计、集成电路芯片测试、数字 IC 物理设计实践等

语言能力
  • 英语
  •   熟练
项目经验
  • 2024/1-2024/6
  • 4H-SiC 材料的温度传感器仿真设计研究|负责人

    项目描述:集成电路实验教学中心、微电子实验教学中心(国家级实验教学示范中心)师从张弢教授,
    项目概述 ,使用 Sentaurus TCAD ,对 4H-SiC 高温温度传感器进行仿真 ,针对“ 器件结构、器件尺寸、碳化硅材料宽禁带、热 导率(不同温度下特性)”构建电热耦合模型。详细分析 300-450K 温度下传感器的电流、电压、温度灵敏度。通过搭建PiN二极管温度传感器的SiC晶闸管二维物理模型并对相关特性进行了仿真。仿真显示:随着压降的变化,器件的结温会发生大约1900倍压降变化倍数的变化。原因是晶闸管导通时,PN结上会产生一定的电压降,称为正向压降,这个正向压降与晶闸管的工作状态和温度有关。并由此关系并由此关系设计出了相应的温度传感器,撰写了《集成温度传感器的 SiC 晶闸管的研究》论文。

  • 2025/6-2027/6
  • 大尺寸大功率氧化镓电力电子器件研究|独立开发者

    项目描述:大尺寸大功率氧化镓电力电子器件研究   独立开发者                                                  宽禁带半导体技术国家重点实验室(六寸晶圆流片能力-覆盖湿法/外延/薄膜/刻蚀/光刻等关键制程)郝跃院士团队师从王树龙教授;?  项目概述 ,本项目开展大尺寸大功率氧化镓二极管研究 ,以针对航空航天 ,新能源 ,高压电网等领域对高效率、高功率密度电源 的需求。主导完成仿真、版图设计、工艺全流程及优化、测试及验证等工作。?  项目目标,完全达成;论文第一作者  ,在投中。

技能专长
  • AutoCAD
  •   熟练
  • PowerPoint
  •   熟练
  • Excel
  •   熟练
  • Word
  •   熟练
  • C
  •   熟练
我的证书
  • 2021/12
  • CET-4|465
  • 2023/3
  • CET-6|495
附加信息
  • 主题:
  • 兴趣爱好

    设计电子器件、羽毛球、健身、阅读、做美食。

  • 主题:
  • 特长

    英语能力 :CET-6、CET-4。
    EDA 与设计软件 :熟练掌握 TCAD 仿真、Tanner L-Edit 制版、Auto CAD 机械三维建模 ,具有 LTspice 使用基础。
    芯片设计 :熟悉先进数字 IC( 14 nm FinFET 工艺)定制化设计流程。
    器件理解 :掌握 BJT、MOSFET、SBD 等主流半导体器件物理及结构特性 ,熟悉 LDO、DC-DC 电路的工作原理及应用。
    工艺能力 :熟练掌握器件制备过程各项基本工艺 ,能够独立操作刻蚀设备(牛津刻蚀机 ,北方微刻蚀机) ,光刻设备 ( MA6 光刻机) ,化学薄膜沉积设备( PECVD 790,北方华创 )。
    测试能力 :熟练操作半导体参数分析仪(B1500A、4200)开展器件/晶圆性能测试 ;自主搭建瞬态及高压测试平台。

  • 主题:
  • 获得荣誉

    2024-2025研究生新生学业奖学金一等奖,

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